氮化铝AIN陶瓷结构和成份氮化铝AIN陶瓷结构和成份主要是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。AIH晶体以( AIN4 )四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结
化学组成AI 65.81%，H 34. 19%，比重3. 261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450^C。为-种高温耐热材料。热膨胀系数(4. 0-6.0) X10 (-6) /C。多晶AIN热导率达260W/(m. k)，比氧化铝高5 8倍，所以耐热冲击好，能耐2200C的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。
性能: AIN陶瓷的性能与制备工艺有关。如热压烧结AIH陶瓷 ，其密度为3 .2- -3 . 3g/cm3，抗弯强度350- -400 MPa(高强型900 MPa)，弹性模里310 GPa, 热导率20-30W. m(-1). K(-1)，热膨胀系数5. 6x10(-6)K(-1) (25"C- 400C)。 机械加工性和抗氧化性良好。应用:氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。由于AIR陶瓷具有高导热、高绝缘性，可作为半导体的基体材料，其
热阻与氧化被陶瓷相当，比氧化铝陶瓷低很多，可用作散热片、半导体器件的绝缘热基片，提高基片材料散热能力和封装密度，可用于双列直插式封装、扁平封装氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。

氮化铝AIN陶瓷-般指高温 共烧陶瓷，具有六方纤锌矿结构的共价晶体，导热率高，热膨胀系数与Si和GaAs匹配 。介电常数，介质损耗、介电强度优良，机械性能好，抗折强度高，可以常压在1600 c烧结，是-种高功率集成电路基片的未来使用材料。氮化铝1N产品、HTCC高温共烧陶瓷HTCC高温共烧陶瓷元器件与氮化铝AIN产品都是指产品的烧结化温度达至1, 600 C或以上。HTCC高温共烧陶瓷元器件与氮化铝A1M产品因膜厚关系，流延膜的干燥时间必须较长。因此必须使用水平式流延机，配合可调式温度和风里设置。此外，
由于烧结温度较高，必须使用钼板作为承烧板及钨浆作为电极材料。工艺技术难度水平要求比一般低温烧结产品为高 。高温烧结炉大部份需要还原气氛，所以炉价非常高昂，工序更为繁复，烧结后的产品更加需要推板炉作整平处理。提供氮化铝AIN片流延生产设备，用于企业研发生产光传输特性优良的基片，应用于LED照明等陶瓷基板上。模里310 GPa, 热导率20-30W. m(-1). K(-1)，热膨胀系数5. 6x10(-6)K(-1) (25"C- 400C)。 机械加工性和抗氧化性良好。应用:氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIH新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。由于AIR陶瓷具有高导热、高绝缘性，可作为半导体的基体材料，其
热阻与氧化被陶瓷相当，比氧化铝陶瓷低很多，可用作散热片、半导体器件的绝缘热基片，提高基片材料散热能力和封装密度，可用于双列直插式封装、扁平封装氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。